其實MOS管和三極管是各有各的應(yīng)用，且也能組合起來使用，如MOS管和三極管組合成各種放大電路及開關(guān)電路。但MOS管具備著三極管不可比擬的特性，能夠取代三極管的大部分作用，而目前大規(guī)模的集成電路基本都是采用MOS管。上一篇文章分享了MOS管的一部分優(yōu)秀性能，接下來30年MOS管廠家飛虹繼續(xù)分享MOS管不同于三極管的性能。

一、輸入阻抗與驅(qū)動功率

輸入阻抗高，驅(qū)動功率小。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。

二、開關(guān)速度

開關(guān)速度快。MOS管的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運用時，mos場效應(yīng)管可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。

MOS管只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，mos場效應(yīng)管影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。

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