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電機驅(qū)動電路使用的MOS管，10款場效應(yīng)管詳細參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)！
電機驅(qū)動電路使用的MOS管，10款場效應(yīng)管詳細參數(shù)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)！
文章作者：飛虹電子
瀏覽量：24492
類型：行業(yè)資訊
日期：2022-03-17 16:41:04
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究竟電機驅(qū)動電路中有多少款MOS管是適合使用的呢？電子工程師開發(fā)時經(jīng)常會遇到這個問題，網(wǎng)絡(luò)上面要么是只能看到簡單的數(shù)據(jù)，要么就是介紹得不太清晰的。因此今天飛虹電子整理了這一份電機驅(qū)動電路可使用的國產(chǎn)MOS管合集，供廣大電子工程師參考。
目前國產(chǎn)MOS管中，可替換多款場效應(yīng)管產(chǎn)品使用的具體型號為：FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100，以上10款產(chǎn)品都是可以應(yīng)用于電機驅(qū)動電路中的。
具體要怎么選擇呢？當(dāng)然需要結(jié)合產(chǎn)品的實際參數(shù)數(shù)據(jù)，具體我們來細看一些以上產(chǎn)品的核心參數(shù)情況：
1、FHP120N7F6A場效應(yīng)管：
最高漏極－源極直流電壓為70V，在TC=25℃下，其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續(xù)漏極電流為80A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為5.4mΩ；反向傳輸電容：24pF。
2、FHN60N1F10LA場效應(yīng)管：
這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：240（A）、靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為10mΩ、VGS=4.5V則為12.5mΩ；反向傳輸電容：11pF。
3、FHP170N1F4A場效應(yīng)管：
具體產(chǎn)品參數(shù)，具有172A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100%EAS測試，100%Rg測試，100%DVDS熱阻測試，優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。
FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。
4、FHP200N6F3A場效應(yīng)管：
具體產(chǎn)品參數(shù)，具有200A、60V的電流、電壓， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。
FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。
5、FHP200N4F3A場效應(yīng)管：
具有200A、40V的電流、電壓， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，電機驅(qū)動電路用mos管極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。
FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。
6、FHP150N03C場效應(yīng)管：
這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：600（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為2.2mΩ、VGS=4.5V則為2.8mΩ；反向傳輸電容：405pF。
7、FHP170N8F3A場效應(yīng)管：
最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其連續(xù)漏極電流為185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續(xù)漏極電流為117.2A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為2.95mΩ；反向傳輸電容：97pF。
8、FHP110N8F5B場效應(yīng)管：
其產(chǎn)品參數(shù)：具有147A電流、85V電壓， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高柵源電壓 @VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點。
FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。
9、FHP100N8F6A場效應(yīng)管：
100N8F6A場效應(yīng)管的最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，電機驅(qū)動電路用mos管其連續(xù)漏極電流為120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續(xù)漏極電流為80A，在TC=125℃下，其連續(xù)漏極電流為56A。
最大脈沖漏極電流（IDM ）：320（A）；靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：VGS=10V則為5.3mΩ；反向傳輸電容：18pF。
10、FHP60N1F10A場效應(yīng)管：
FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具備100% EAS測試，100% Rg測試，電機驅(qū)動用mos管100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。
FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
以上10款產(chǎn)品便是國產(chǎn)MOS管在使用過程中的核心數(shù)據(jù)呈現(xiàn)，具體可有電機驅(qū)動開發(fā)工程師進一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對應(yīng)要選擇的MOS管還是會有差異的，詳細參數(shù)規(guī)格表可登陸“飛虹電子”網(wǎng)址。
飛虹電子是優(yōu)質(zhì)的MOS管研發(fā)團隊，過程中會有專業(yè)的產(chǎn)品工程師與廠家共同維護研發(fā)，讓企業(yè)產(chǎn)品能夠得到最優(yōu)的保障。
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熱門標(biāo)簽：電機驅(qū)動電路用mos管
